钜芯科技研发中心的主要研究方向
钜芯科技科技公司的研发中心成立于2016年，是公司创新和技术发展的核心驱动力。中心拥有38名专业技术人才团队，包括16位高级职称、博士人员，以及33名本科及以上学历的成员，具备丰富的工作经验和前沿的研发思想。该中心与安徽大学、合肥师范学院等多所高等院校合作，已升级为企业工程中心，专注于新一代半导体功率器件及芯片的研发和产业化。其主要研究方向包括以下三个方面：
- 基于新一代半导体材料的新型结构功率器件设计与研究
- 研发中心专注于新型半导体材料（如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等）的功率器件设计。研究人员致力于开发具有更高电流承载能力、更低导通电阻和更高开关速度的功率器件。这些新型材料在高频、高温和高压工作环境下表现出色，适用于电动汽车、电力电子、工业自动化和可再生能源设备等领域。
- 针对新材料的特性，研发团队设计和优化新型器件结构，如超结（Super Junction）MOSFET、GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）等，旨在提升器件的效率、可靠性和耐用性，突破国外技术封锁，实现关键核心技术的自主化。
- 超高压、低界面态的纳米级复合钝化层保护技术研究
- 为了提升器件的耐压性和稳定性，研发中心研究和开发超高压、低界面态的纳米级复合钝化层技术。这项技术通过在器件表面形成具有保护和绝缘作用的钝化层，防止因外部环境或电气应力引起的界面态增加，从而提高器件的电气性能和长期稳定性。
- 该研究方向包括对不同材料钝化层的制备工艺、厚度优化以及界面态密度控制方法的研究，以进一步降低器件漏电流和提高抗击打能力，使其在高压、大功率应用中表现优异。
- 功率器件模块封装中的热、电、力等多物理场仿真分析技术研究
- 为解决功率器件在高功率密度工作条件下的散热问题，研发中心专注于功率模块封装的热管理技术。研究人员通过多物理场（热、电、力等）仿真分析，优化器件结构和封装材料，以提升散热性能，确保器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
- 研究的主要内容包括热电耦合分析、封装材料的选择和优化、热界面材料（TIM）的开发、功率模块的结构设计等，确保模块在工作过程中的热管理高效，并降低热应力和机械应力对器件性能的影响。
其他研究方向和关键技术领域
除了上述三大主要研究方向外，钜芯科技的研发中心还涉及以下几个关键技术领域：
- 半导体材料和工艺开发
- 研发中心专注于新型半导体材料（如SiC、GaN等）的晶圆生长、掺杂、刻蚀和薄膜沉积等工艺的优化和创新。通过改进材料制备工艺和提高材料纯度，提升器件的电气性能和可靠性。
- 该领域还包括研究适用于高频、高温和高压环境的材料特性，如耐高温氧化、耐辐射、低漏电流特性等，以推动高性能功率器件的产业化应用。
- 高效电力电子系统设计
- 在电力电子系统设计方面，研发中心研究高效的电源管理系统和能量转换模块，特别是在可再生能源、电动汽车和智能电网等应用中的高效逆变器和转换器。该研究包括拓扑结构设计、控制算法优化和系统级集成等，以提高电源系统的效率和稳定性。
- 先进封装与测试技术
- 研发中心还致力于先进封装技术的开发，如系统级封装（SiP）、芯片级封装（CSP）和三维堆叠封装技术。这些技术通过提高封装密度和集成度，减少寄生效应和功耗，提升整体器件性能。
- 先进的封装技术还包括芯片封装的热设计、材料选择以及封装测试验证技术，确保半导体器件在复杂工作条件下的可靠性和耐用性。
- 功率半导体器件的可靠性与寿命测试
- 为了确保产品在极端条件下的高可靠性和长寿命，研发中心进行了一系列可靠性测试研究，如热循环测试、电气应力测试、机械应力测试和环境老化测试等，评估产品在各种应用场景下的性能表现。
研究成果与产业化发展
- 钜芯科技研发中心自成立以来，在超结结构设计、低界面态关键工艺以及功率模块的系统级封装等方面取得了重要突破，获得了40余项发明专利和5项软件著作权，并发表了100余篇SCI/EI论文。
- 该中心已初步建成一个完整的半导体功率器件研发平台，拥有67余台先进的研发设备和6套正版授权的专业仿真设计软件，总价值达8亿美元。中心具备强大的技术开发和科技成果转化能力，能够进行从材料研发、芯片设计到器件封装的全流程研究与开发。
通过多年的发展，钜芯科技的研发中心已在半导体功率器件领域形成了完整的技术链条，支持公司产品的创新和市场拓展，致力于实现半导体材料和功率器件的国产化，打破国际垄断，为国内外客户提供高效、可靠的解决方案。
